Методы осаждения, очистки и травления покрытий
Современные PVD (Physical Vapor Deposition) и CVD (Chemical Vapor Deposition) технологии, а также методы ионной очистки и плазменного травления - основа производства функциональных покрытий в микроэлектронике, оптике, приборостроении и материаловедении. В этом разделе представлены методы магнетронного распыления, электронно-лучевого испарения, вакуумно-дугового напыления, ионной очистки и реактивно-ионного травления. Подробные описания процессов, преимущества технологий и рекомендации по выбору оборудования для ваших задач.
PVD напыление
Вакуумное нанесение тонких пленок методами физического осаждения
Правильный выбор магнетрона определяет качество, воспроизводимость и экономическую эффективность процесса напыления. В нашем гайде разбираем ключевые критерии: типы питания (DC/RF), системы охлаждения (косвенное и прямое), размеры мишеней, конфигурации фланцев и возможности интеграции. Узнайте, как подобрать оптимальную конфигурацию магнетрона под ваши задачи - от научных исследований до промышленного нанесения металлических, диэлектрических и композитных покрытий.
CVD напыление
Химическое осаждение из газовой фазы
Метод получения тонких плёнок и покрытий за счёт химической реакции газообразных прекурсоров на поверхности подложки. В отличие от PVD, при CVD материал формируется in situ - непосредственно на подложке - за счёт термического разложения или плазмохимической активации исходных соединений.
В отличие от классического CVD, в MOCVD в качестве прекурсоров используются металлоорганические соединения и газообразные реагенты. Реакция разложения происходит на нагретой подложке, что позволяет контролировать состав, толщину и кристаллическую структуру плёнки на атомарном уровне.
Существуют два принципиально различных метода формирования тонкопленочных покрытий: PVD (Physical Vapor Deposition) и CVD (Chemical Vapor Deposition). Метод PVD базируется на физических принципах, а именно испарении или ионном распылении вещества, тогда как CVD предполагает использование химических реакций между газообразными реагентами (прекурсорами), протекающих непосредственно на поверхности обрабатываемой детали.