Ионные источники
На любой поверхности загружаемой в вакуумную камеру с атмосферы есть сорбированная влага и кислород. Если их не убрать уже в камере, может ухудшиться прочность сцепления пленки с подложкой. Кроме адгезии кислород влияет на химический состав, особенно нанометровых пленок. При нанесении пленки на загрязненную поверхность, особенно маслами или органикой, она может трескаться и отшелушиваться.
Ионная очистка, основанная на бомбардировке поверхности подложки ускоренными в электрическом поле ионами инертного газа, позволяет получать атомно-чистую поверх-ность. Для некоторых типов загрязнений в ионный источник подают дополнительно кислород или CF4.
В отличии от очистки тлеющим или высокочастотным разрядом ионные источники удаляют загрязнения, оксидные пленки и сорбированные газы гораздо быстрее за счет большего тока и хорошей направленности ионов.
Распыление поверхностного слоя самой подложки, удаление окислов наблюдается при значении энергии ускоренных ионов существенно выше энергии связи атомов обрабатываемого материала, например более 150 эВ.
Для очистки поверхности без травления, но с возможностью ее активации, а также для ассистирования во время напыления (окисления или «утрамбовки» пленки) применяют ионный источник «Энд-холл». Для ионного травления – другие типы источников.
Большинство наших технологических источников удерживают электроны плазмы внутри корпуса магнитным полем. Скрещенные электрическое и магнитное поле вынуждает электроны совершать замкнутое дрейфовое движение в ускоряющем канале, многократно ионизуя рабочий газ и создавая плазму. Это повышает эффективность генерации ионов разного тока и энергии, однородность, снижает вероятность микропробоя.
Ионные источники (ионные пушки) для PVD процессов
Современные ионные источники являются важной частью технологического оборудования для установок напыления тонких пленок. Они повышают качество покрытий, улучшают повторяемость результатов и позволяют более точно управлять параметрами обработки поверхности и роста пленки.
Если вам необходимо подобрать ионный источник для очистки поверхности, источник End-Hall, плазменный источник для вакуумной камеры или оборудование для ионного травления и ассистирования, специалисты компании помогут выбрать решение под конкретный технологический процесс.