Главная/Реализованные проекты/Модернизация и апгрейд/Зачем покупать новую установку вакуумного напыления, если можно модернизировать старую?

Зачем покупать новую установку вакуумного напыления, если можно модернизировать старую?

Реализованные расширения функциональности под современные задачи

В научно-исследовательских учреждениях и производственных лабораториях до сих пор эксплуатируется оборудование вакуумного напыления предыдущих поколений, такое как установки УВН-71, ННВ-6, ВУ-2М, ВУ-1А, а также их аналоги, производимые в Китайской Народной Республике. Несмотря на декларируемую надежность, данное оборудование не отвечает актуальным технологическим запросам. 

Ключевые ограничения включают:

  • Отсутствие оперативного мониторинга толщины наносимых слоев. Современные технологии осаждения тонких пленок зачастую требуют прецизионного контроля толщины в режиме реального времени для обеспечения требуемых функциональных характеристик.
  • Невозможность формирования реактивно напыленных покрытий. Ограничения систем не позволяют получать покрытия из материалов, требующих реакционной среды в рабочем объеме, например, оксида индия-олова (ITO), нитрида титана (TiN) или оксида алюминия (Al₂O₃).
  • Недостаточная чистота откачки и предельный вакуум. 
    Использование диффузионных насосов в вакуумных системах приводит к контаминации рабочей камеры парами масла и ограничивает достижимый предел вакуумирования значением порядка 10⁻⁴ мбар, что не соответствует современным требованиям для ряда процессов.
     

Модернизация - это восстановление функциональности под современные задачи.


 

Примеры дооснащения существующих установок

Модернизация магнетрона в УВН-71

Штатный источник заменён на универсальный DC-магнетрон Ø76,2 мм с жидкостным охлаждением и регулировкой по высоте.

  • Результат: однородность покрытия ±5% на Ø100 мм;
  • Совместимость с кварцевым датчиком толщины (0,1 Å).

Доработка магнетрона в ННВ-6

Добавлен второй магнетрон: возможность реактивного напыления (TiN, Al₂O₃) и двухкомпонентных структур.

Внедрение электронно-лучевого испарителя (ЭЛИ)

Интегрирован в ВУ-1А и другие камеры. Позволяет наносить тугоплавкие материалы (W, Mo, оксиды) без загрязнения.

Установка ионного источника

В китайской установке в Казахстане смонтирован EPOS-END-HALL.

  • Реализована ионная очистка подложки перед напылением.

Модернизация системы откачки

Замена диффузионного насоса на крионасос или турбомолекулярный.

  • Вакуум до 1×10⁻⁶ мбар;
  • Отсутствие углеводородных загрязнений;
  • Полная совместимость с PVD-процессами.

Внедрение оптического контроля толщины

Кварцевый датчик интегрирован в ВУ-2М, ВУ-1А.

  • Точность ±2%;
  • Возможность нанесения многослойных структур (Mo/Si, ITO/ZnO).

 

Cсылки:

Каталог
 
Закрыть